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参数资料
| 型号： | FSB52006S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE SPM SMART PWR SPM23-BA |
| 标准包装： | 450 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | FET |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 2.6A |
| 电压： | 60V |
| 电压 - 隔离： | 1500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM23BA |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
R 2
(1) COM
R 1
(2) V B(U)
(17) P
R 5
C 5
R 1
C 2
C 1
(3) V CC(U)
(4) IN (UH)
(5) IN (UL)
(6) V S(U)
(7) V B(V)
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
(18) U
(19) N U
C 3
V DC
(8) V CC(V)
(9) IN (VH)
(10) IN (VL)
VCC
HIN
LIN
VB
HO
VS
(20) N V
(21) V
M
C 2
C 1
(11) V S(V)
COM
LO
R 1
(12) V B(W)
(13) V CC(W)
(14) IN (WH)
(15) IN (WL)
VCC
HIN
LIN
VB
HO
VS
(22) N W
(23) W
C 2
C 1
(16) V S(W)
COM
LO
For 3-phase current sensing and protection
R 4
15-V
Supply
C 4
R 3
Figure 8. Example of Application Circuit
4th Notes:
1. About pin position, refer to Figure 1.
2. RC-coupling (R 5 and C 5 , R 4 and C 6 ) and C 4 at each input of Motion SPM ? 5 product and MCU are useful to prevent improper input signal caused by surge-noise.
3. The voltage-drop across R 3 affects the low-side switching performance and the bootstrap characteristics since it is placed between COM and the source terminal of the low-
side MOSFET. For this reason, the voltage-drop across R 3 should be less than 1 V in the steady-state.
4. Ground-wires and output terminals, should be thick and short in order to avoid surge-voltage and malfunction of HVIC.
5. All the filter capacitors should be connected close to Motion SPM 5 product, and they should have good characteristics for rejecting high-frequency ripple current.
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FSB52006S Rev. C4
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FSB560 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor |
| FSB560_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560A_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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