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参数资料
| 型号： | FSB52006S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE SPM SMART PWR SPM23-BA |
| 标准包装： | 450 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | FET |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 2.6A |
| 电压： | 60V |
| 电压 - 隔离： | 1500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM23BA |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
V IN
I rr
V IN
V DS
100% of I D
120% of I D
I D
10% of I D
I D
V DS
t ON
t rr
(a) Turn-on
t OFF
(b) Turn-off
Figure 4. Switching Time Definitions
R EH
V CC
R BS
I D
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
+
V DS
L
V DC
-
C BS One-leg Diagram of Motion SPM ? 5 Product
Figure 5. Switching and RBSOA (Single-pulse) Test Circuit (Low-side)
Input Signal
UV Protection
Status
Low-side Supply, V CC
RESET
UV CCD
DETECTION
UV CCR
RESET
MOSFET Current
Figure 6. Under-Voltage Protection (Low-Side)
Input Signal
UV Protection
Status
High-side Supply, V BS
RESET
UV BSD
DETECTION
UV BSR
RESET
MOSFET Current
Figure 7. Under-Voltage Protection (High-Side)
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FSB52006S Rev. C4
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60C | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSB560 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor |
| FSB560_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560A_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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