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参数资料
| 型号： | GL4800E0000F |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EMITTER IR 950NM 3.0MW TH |
| 产品变化通告： | Emitter Chip Change 10/Aug/2007 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 0.7mW/sr @ 20mA |
| 波长： | 950nm |
| 正向电压： | 1.2V |
| 视角： | 60° |
| 方向： | 侧视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 包装： | 袋 |
| 其它名称： | 425-1939-5 |
GL4800E0000F
■ Outline Dimensions
(R.45)
3.0
1.25
2 - C0.5
1.6
0 . 8
(φ 0. 8 )
8 °
8 °
2°
0.1 MAX.
2°
φ 1.5E.PI N
0.1 MAX.
0.7
2 - 0.9
2 - 0.45 +0.3
2 - 0.25 +0.3
-0.1
-0.1
1
(2.54)
2
8 °
8 °
8 °
8 °
1
Pin Arran g ement
No.
Name
Cathode
1
2
2
Anode
NOTES:
2°
2°
1. Units: mm
2. Unspecified tolerances: ±0.2
3. Package: Pink transparent epoxy resin
4. ( ): Reference dimensions
5. The thin bu rr thickness (0.05 mm MAX.) and the gate bu rr (0.3 mm MAX.)
shall not b e incl u ded in the o u tline dimensions.
6. Protr u ded resin 0.3 mm MAX. Ho w e v er, the thin bu rr adheres to the lead
1. 8 mm MAX. from the resin.
Sheet No.: D1-A01001EN
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GL480E00000F | EMITTER IR 950NM 3.0MW TH |
| GL610T | EMITTER IR 950NM .7MW 1608 SMD |
| GLAD.01 | EVALUATION KIT FOR GLA.01 |
| GLAD.02 | EVALUATION KIT FOR GLA.02 |
| GM-205610-000 | MODULE GPS RCVR GPS2056-10 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GL480E00000F | 功能描述:红外发射源 Thru hole IRED 0.7mW 950nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| GL480-E00000F | 制造商:Sharp Microelectronics 功能描述:LED IrLED 950nm 2-Pin |
| GL480E0000F5 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:Opto,Em. infrared diode,950nm,side view |
| GL480Q | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:1.6 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| GL480QE0000F | 功能描述:红外发射源 Hi rel version of GL480 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
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