参数资料
型号: GL4800E0000F
厂商: Sharp Microelectronics
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描述: EMITTER IR 950NM 3.0MW TH
产品变化通告: Emitter Chip Change 10/Aug/2007
标准包装: 1,000
电流 - DC 正向(If): 100mA
辐射强度(le)最小值@正向电流: 0.7mW/sr @ 20mA
波长: 950nm
正向电压: 1.2V
视角: 60°
方向: 侧视图
安装类型: 通孔
封装/外壳: 径向
包装:
其它名称: 425-1939-5
GL4800E0000F
Fig. 3 Radiation Diagram
Fig. 5 Peak Emission Wavelength vs.
-20°
-10°
+10°
+20°
Ambient Temperature
100
T a = 25°C
1,000
-30°
8 0
+30°
I F = 5 mA
975
-40°
60
+40°
-50°
-60°
-70°
- 8 0°
40
20
+50°
+60°
+70°
+ 8 0°
950
925
-90°
0
Ang u lar displacement θ
+90°
900
-25
0
25
50
75
100
Am b ient temperat u re Ta (°C)
Fig. 4 Spectral Distribution
100
I F = 5 mA
T a = 25°C
Fig. 6 Forward Current vs.
Forward Voltage
8 0
500
T a = 75°C
200
50°C
25°C
60
100
50
0°C
-20°C
40
20
10
20
5
0
2
88 0
900
920
940
960
9 8 0
1,000 1,020 1,040
1
W a v elength λ (mm)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
For w ard v oltage V F ( V )
Sheet No.: D1-A01001EN
4
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PDF描述
GL480E00000F EMITTER IR 950NM 3.0MW TH
GL610T EMITTER IR 950NM .7MW 1608 SMD
GLAD.01 EVALUATION KIT FOR GLA.01
GLAD.02 EVALUATION KIT FOR GLA.02
GM-205610-000 MODULE GPS RCVR GPS2056-10
相关代理商/技术参数
参数描述
GL480E00000F 功能描述:红外发射源 Thru hole IRED 0.7mW 950nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
GL480-E00000F 制造商:Sharp Microelectronics 功能描述:LED IrLED 950nm 2-Pin
GL480E0000F5 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:Opto,Em. infrared diode,950nm,side view
GL480Q 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:1.6 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm
GL480QE0000F 功能描述:红外发射源 Hi rel version of GL480 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk