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参数资料
型号： GS74116
厂商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 4Mb（256K x 16Bit）Asynchronous SRAM(4M位（256K x 16位）异步静态RAM)
中文描述： 4Mb的（256 × 16Bit的）异步SRAM（4分位（256K × 16位）异步静态RAM）的
文件页数： 8/14页
文件大小： 184K
代理商： GS74116
Rev: 2.02 3/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
8/14
1999, Giga Semconductor, Inc.
N
GS74116TP/J/U
Write Cycle 1: WE control
Write Cycle 2: CE control
tWC
Address
CE
UB, LB
WE
Data In
OE
Data Out
tAW
tCW
tBW
tAS
tWP
tWR
tDW
tDH
tWLZ
tWHZ
Data valid
High impedance
tWC
Address
CE
UB, LB
WE
Data In
OE
Data Out
tAW
tWP
tAS
tCW
tWR1
tDW
tDH
Data valid
High impedance
tBW
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PDF描述
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