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参数资料
| 型号： | GS88237BB-V |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| 中文描述： | 256K × 36 9Mb以上SCD的/双氰胺同步突发静态存储器 |
| 文件页数： | 21/28页 |
| 文件大小： | 747K |
| 代理商： | GS88237BB-V |
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9Mb Sync SRAM Datasheet Revision History
DS/DateRev. Code: Old;
New
Types of Changes
Format or Content
Page;Revisions;Reason
882V37B_r1
Creation of new datasheet
882V37B_r1;
882V37B_r1_01
Format/Content
Added 360 MHz
Removed all speed bins below 300 MHz
Updated format
882V37B_r1_01;
882V37B_r1_02
Content
Updated mechanical drawing and added variation number to
ordering information
882V37B_r1_02;
882V37B_r1_03
Content
Added 165 BGA
Added Pb-Free information
882V37B_r1_03;
88237B_V_r1_04
Content
Updated entire datasheet to reflect different ordering
information, speed bin offering, and AC characteristics
GS88237BB/D-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 6/2006
28/28
2003, GSI Technology
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88237BD-200T | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.7 ns, PBGA165 |
| GS88237CB-200IT | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.7 ns, PBGA119 |
| GS882V37BGB-360I | 256K X 36 CACHE SRAM, 1.8 ns, PBGA119 |
| GS9012E/E6 | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| GS9012G/E6 | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GS88237CB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.7NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.7NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.3NS 119FPBGA - Trays |
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