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参数资料
| 型号： | GS88237BB-V |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| 中文描述： | 256K × 36 9Mb以上SCD的/双氰胺同步突发静态存储器 |
| 文件页数： | 26/28页 |
| 文件大小： | 747K |
| 代理商： | GS88237BB-V |
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GS88237BB/D-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 6/2006
7/28
2003, GSI Technology
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
BA
BB
BC
BD
Notes
Read
H
X
1
Read
H
L
H
1
Write byte a
H
L
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
L
H
2, 3
Write byte d
H
L
H
L
2, 3
Write all bytes
H
L
2, 3
Write all bytes
L
X
Notes:
1. All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2. Byte Write Enable inputs BA, BB, BC, and/or BD may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3. All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
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PDF描述 |
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| GS9012G/E6 | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GS88237CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.3NS 119FPBGA - Trays |
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