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参数资料
| 型号： | GS88237BD-200T |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.7 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件页数： | 16/29页 |
| 文件大小： | 859K |
| 代理商： | GS88237BD-200T |
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GS88237BB/D-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 4/2008
23/29
2002, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
3.3 V Test Port Input High Voltage
VIHJ3
2.0
VDD3 +0.3
V
1
3.3 V Test Port Input Low Voltage
VILJ3
–0.3
0.8
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
VIHJ2
0.6 * VDD2
VDD2 +0.3
V
1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
VILJ2
–0.3
0.3 * VDD2
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINHJ
–300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINLJ
–1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
IOLJ
–1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
VOHJ
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
VOLJ
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
VOHJC
VDDQ – 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
VOLJC
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1. Input Under/overshoot voltage must be –2 V > Vi < VDDn +2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
2. VILJ ≤ VIN ≤ VDDn
3. 0 V
≤ VIN ≤ VILJn
4. Output Disable, VOUT = 0 to VDDn
5. The TDO output driver is served by the VDDQ supply.
6. IOHJ = –4 mA
7. IOLJ = + 4 mA
8. IOHJC = –100 uA
9. IOHJC = +100 uA
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| GS9012G/E6 | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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