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参数资料
| 型号： | GS88237BD-200T |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.7 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件页数： | 4/29页 |
| 文件大小： | 859K |
| 代理商： | GS88237BD-200T |
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GS88237BB/D-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 4/2008
12/29
2002, GSI Technology
Note:
These parameters are sample tested.
Capacitance
(TA = 25oC, f = 1 MHZ, VDD = 2.5 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
4
5
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
VOUT = 0 V
6
7
pF
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDDQ/2
Output load
Fig. 1
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1
unless otherwise noted.
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.
20% tKC
VSS – 2.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
VDD + 2.0 V
50%
VDD
VIL
DQ
VDDQ/2
50
Ω
30pF*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88237CB-200IT | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.7 ns, PBGA119 |
| GS882V37BGB-360I | 256K X 36 CACHE SRAM, 1.8 ns, PBGA119 |
| GS9012E/E6 | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| GS9012G/E6 | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| GSAA01B-Q03 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 6A, 120VDC, 30.5mm, PANEL MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| GS88237CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.3NS 119FPBGA - Trays |
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