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参数资料
| 型号： | GS88237BD-200T |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.7 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件页数： | 6/29页 |
| 文件大小： | 859K |
| 代理商： | GS88237BD-200T |
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GS88237BB/D-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 4/2008
14/29
2002, GSI Technology
Notes:
1. These parameters are sampled and are not 100% tested.
2. ZZ is an asynchronous signal. However, in order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold
times as specified above.
AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
-333
-300
-250
-200
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Pipeline
Clock Cycle Time
tKC
3.0
—
3.3
—
4.0
—
5.0
—
ns
Clock to Output Valid
tKQ
—
2.0
—
2.2
—
2.3
—
2.7
ns
Clock to Output Invalid
tKQX
1.0
—
1.0
—
1.0
—
1.0
—
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ1
1.0
—
1.0
—
1.0
—
1.0
—
ns
Setup time
tS
1.0
—
1.1
—
1.2
—
1.4
—
ns
Hold time
tH
0
—
0.1
—
0.2
—
0.4
—
ns
G to Output Valid
tOE
—
2.0
—
2.2
—
2.3
—
2.5
ns
G to output in High-Z
tOHZ1
—
2.0
—
2.2
—
2.3
—
2.5
ns
Clock HIGH Time
tKH
1.3
—
1.3
—
1.3
—
1.3
—
ns
Clock LOW Time
tKL
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Clock to Output in
High-Z
tHZ1
1.0
2.0
1.0
2.2
1.5
2.3
1.5
3.0
ns
G to output in Low-Z
tOLZ1
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
ZZ setup time
tZZS2
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
ZZ hold time
tZZH2
1
—
1
—
1
—
1
—
ns
ZZ recovery
tZZR
20
—
20
—
20
—
20
—
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88237CB-200IT | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.7 ns, PBGA119 |
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| GS9012E/E6 | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| GS9012G/E6 | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| GSAA01B-Q03 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 6A, 120VDC, 30.5mm, PANEL MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GS88237CB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.3NS 119FPBGA - Trays |
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