- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17605 > HAT2165N-EL-E (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HAT2165N-EL-E |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） |
| 供应商设备封装： | 8-LFPAK-iV |
| 包装： | 带卷 (TR) |
To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1 st , 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1 st , 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by: Renesas Electronics Corporation ( http://www.renesas.com )
Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry .
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RN-3.33.3S | CONV DC/DC 1.25W 3.3VIN 3.3VOUT |
| PM0805-56NK-RC | INDUCTOR CHIP 56NH 10% SMD |
| EEC18DRAN | CONN EDGECARD 36POS R/A .100 SLD |
| EEC18DRAH | CONN EDGECARD 36POS R/A .100 SLD |
| GPC80C | POWER SUPPLY SWITCHER 8OW QUAD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HAT2166H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| HAT2166H_05 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2166H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| HAT2167H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| HAT2167H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。