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参数资料
| 型号： | HAT2165N-EL-E |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） |
| 供应商设备封装： | 8-LFPAK-iV |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HAT2165N
100
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
100
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
I AP = 30 A
80
10 V
80
V DD = 15 V
duty < 0.1 %
60
5V
V GS = 0
60
Rg ≥ 50 ?
40
20
40
20
0
0.4
0.8
1.2
Pulse Test
1.6
2.0
0
25
50
75
100
125
150
Source to Drain Voltage V SD (V)
Avalanche Test Circuit
Channel Temperature Tch (°C)
Avalanche Waveform
V DS
Monitor
L
E AR =
1
2
L ? I AP2 ?
V DSS
V DSS - V DD
I AP
Monitor
Vin
15 V
Rg
50 ?
D. U. T
V DD
I AP
I D
V DS
V (BR)DSS
Switching Time Test Circuit
0
V DD
Switching Time Waveform
Vin Monitor
Vout
Monitor
90%
Rg
D.U.T.
RL
Vin
Vout
10%
10%
10%
Vin
V DS
10 V
= 10 V
90%
90%
td(on)
tr
td(off)
tf
REJ03G1680-0300 Rev.3.00 May 27, 2008
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