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参数资料
| 型号： | HAT2165N-EL-E |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） |
| 供应商设备封装： | 8-LFPAK-iV |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HAT2165N
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
REJ03G1680-0300
Rev.3.00
May 27, 2008
Features
?
?
?
?
?
High speed switching
Capable of 4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
R DS(on) = 2.8 m ? typ. (at V GS = 10 V)
Outline
RENESAS Package code: PTSP0008DC-A
(Package name: LFPAK-i)
5 6 7 8
1(S)
2(S)
D D D D
3(S)
4(G)
8(D)
7(D)
6(D)
5(D)
4
G
1, 2, 3 Source
4 Gate
5, 6, 7, 8 Drain
S S S
1 2 3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
I D(pulse)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal resistance
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V DSS
V GSS
I D
Note1
I DR
I AP Note 2
E AR Note 2
Pch Note3
θ ch-C
Tch
Tstg
Ratings
30
±20
55
220
55
30
90
30
4.17
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C/W
° C
° C
Notes: 1. PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
2. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 ?
3. Tc = 25 ° C
REJ03G1680-0300 Rev.3.00 May 27, 2008
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