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参数资料
| 型号： | HAT2165N-EL-E |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） |
| 供应商设备封装： | 8-LFPAK-iV |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HAT2165N
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
8
1000
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Pulse Test
300
6
4
2
0
V GS = 4.5 V
10 V
I D = 10 A, 20 A
50 A
10 A, 20 A, 50 A
100
30
10
3
1
0.3
0.1
Tc = -25 ° C
25 ° C
75 ° C
V DS = 10 V
Pulse Test
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Case Temperature Tc ( ° C)
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
Drain Current I D (A)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
100
50
20
di / dt = 100 A / μ s
10000
3000
1000
300
100
30
Ciss
Coss
Crss
V GS = 0
10
V GS = 0, Ta = 25 ° C
10
f = 1 MHz
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
5
10
15
20
25
30
Reverse Drain Current I DR (A)
Dynamic Input Characteristics
Drain to Source Voltage V DS (V)
Switching Characteristics
40
I D = 55 A
V GS
16
1000
30
V DD = 25 V
V DD = 5 V
10 V
25 V
12
300
100
td(off)
20
V DD
8
30
td(on)
tf
10 V
10
10
5V
4
0
3
tr
V GS = 10 V, V DS = 10 V
Rg = 4.7 ? , duty ≤ 1 %
0
20
40
60
80
100
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Gate Charge Qg (nc)
REJ03G1680-0300 Rev.3.00 May 27, 2008
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Drain Current I D (A)
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