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参数资料
| 型号： | HAT2165N-EL-E |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） |
| 供应商设备封装： | 8-LFPAK-iV |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HAT2165N
Package Dimensions
Package Name
LFPAK-i
JEITA Package Code
?
RENESAS Code
PTSP0008DC-A
Previous Code
LFPAK-iV
MASS[Typ.]
0.080g
0.25 – 0.03
0.20 – 0.03
8
1
4.9
5.3Max
3.3
5
4
+ 0.05
+ 0.05
0° – 8°
0.75Max
1.27
0.10
Ordering Information
0.4 ± 0.06
0.25 M
( Ni/Pd/Au plating )
Part No.
HAT2165N-EL-E
2500 pcs
Quantity
Taping
Shipping Container
REJ03G1680-0300 Rev.3.00 May 27, 2008
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PDF描述 |
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