型号: | HGT1S7N60B3S9A |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 136K |
代理商: | HGT1S7N60B3S9A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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HGTD7N60B3S9A | 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
HHS45-033-0C | 1-OUTPUT DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
HHSC-105-06.00-SE-SU | INTERCONNECTION DEVICE |
HHSC-125-03.75-SE-TE | INTERCONNECTION DEVICE |
HHSC-108-03.75-TU-SU | INTERCONNECTION DEVICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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HGT1S7N60C3D | 功能描述:IGBT 晶体管 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
HGT1S7N60C3DS | 功能描述:IGBT 晶体管 7A 600V TF=275NS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
HGT1S7N60C3DS9A | 功能描述:IGBT 晶体管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
HGT1Y40N60B3D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
HGT1Y40N60C3D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-264 |