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参数资料
| 型号： | HGT1S7N60C3DS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2V @ 15V，7A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 14A |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Curves
200
100
T J = 150 o C, T C = 75 o C
R G = 50 ? , L = 1mH
50
T J = 150 o C, V GE = 15V, R G = 50 ? , L = 1mH
40
V GE = 10V
V GE = 15V
30
10
f MAX1 = 0.05/(t D(OFF)I + t D(ON)I )
f MAX2 = (P D - P C )/(E ON + E OFF )
P D = ALLOWABLE DISSIPATION
P C = CONDUCTION DISSIPATION
(DUTY FACTOR = 50%)
20
10
1
2
R θ JC = 2.1 o C/W
10
20
30
0
0
100
200
300
400
500
600
I CE , COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
Figure 13. OPERATING FREQUENCY vs
COLLECTOR TO EMITTER CURRENT
V CE(PK) , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 14. MINIMUM SWITCHING SAFE
OPERATING AREA
1200
1000
C IES
FREQUENCY = 1MHz
600
500
15
12.5
800
600
400
400
300
200
V CE = 200V
V CE = 400V
V CE = 600V
10
7.5
5
200
0
0
5
10
C RES
15
C OES
20
25
100
0
0
5
10
15
I G(REF) = 1.044mA,
R L = 50 ? , T C = 25 o C
20 25
2.5
0
30
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
10 0
0.5
Q G , GATE CHARGE (nC)
Figure 16. GATE CHARGE WAVEFORMS
10 -1
0.2
0.1
0.05
P D
t 1
t 2
0.02
0.01
DUTY FACTOR, D = t 1 / t 2
PEAK T J = (P D X Z θ JC X R θ JC ) + T C
10 -2
10 -5
SINGLE PULSE
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t 1 , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 17. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION TO CASE
HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3DS, HGT1S7N60C3D
Rev. B 1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGT1S7N60C3DS9A | 功能描述:IGBT 晶体管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGT1Y40N60B3D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
| HGT1Y40N60C3D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-264 |
| HGT4E20N60A4DS | 功能描述:IGBT 晶体管 TO-268 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGT4E30N60B3DS | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT |
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