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参数资料
| 型号： | HIP2122FRTBZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 10/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INTERFACE |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | * |
HIP2122, HIP2123
Typical Performance Curves
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
(Continued)
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
2
4
6
8
10
12
V LO , V HO (V)
FIGURE 15. PEAK PULL-UP CURRENT vs OUTPUT VOLTAGE
V LO , V HO (V)
FIGURE 16. PEAK PULL-DOWN CURRENT vs OUTPUT VOLTAGE
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
I DD
5
10
I HB
15
20
320
300
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
5
I DD
10
I HB
15
20
V DD , V HB (V)
FIGURE 17. HIP2122 QUIESCENT CURRENT vs VOLTAGE
1.00
0.10
0.01
1 . 10 -3
1 . 10 -4
1 . 10 -5
1 . 10 -6
V DD , V HB (V)
FIGURE 18. HIP2123 QUIESCENT CURRENT vs VOLTAGE
120
100
80
60
40
20
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
12
13
14
15
16
FORWARD VOLTAGE (V)
FIGURE 19. BOOTSTRAP DIODE I-V CHARACTERISTICS
10
V HS TO V SS VOLTAGE (V)
FIGURE 20. V HS VOLTAGE vs V DD VOLTAGE
FN7670.0
December 23, 2011
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F931D226MCC | CAP TANT 22UF 20V 20% 2312 |
| A7VWB-1506M | CABLE D-SUB-AMU15B/AE15M/AFU15B |
| HIP2122FRTAZ-T | IC INTERFACE |
| GSM08DRMI | CONN EDGECARD 16POS .156 SQ WW |
| F931V106MCC | CAP TANT 10UF 35V 20% 2312 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP2123 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V, 2A Peak, High Frequency Half-Bridge Drivers with Rising Edge Delay Timer |
| HIP2123FRTAZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2123FRTAZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2123FRTBZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2123FRTBZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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