参数资料
型号: HIP2122FRTBZ-T
厂商: Intersil
文件页数: 2/16页
文件大小: 0K
描述: IC INTERFACE
标准包装: 6,000
系列: *
HIP2122, HIP2123
Block Diagram
VDD
HB
HIP2122,
HIP2123
UNDER
VOLTAGE
LEVEL
SHIFT
HO
HS
HO
HIP2122
HIP2122/23
DELAY
RDT
LO
OPTIONAL INVERSION
FOR FUTURE PART
NUMBERS
DELAY
EPAD IS
UNDER
VOLTAGE
LO
HIP2122
HIP2122/23
ELECTRICALLY
ISOLATED
VSS
EPAD
Pin Configurations
HIP2122, HIP2123
(10 LD 4X4 TDFN)
TOP VIEW
HIP2122, HIP2123
(9 LD 4X4 TDFN)
TOP VIEW
VDD
1
10 LO
VDD
1
10 LO
HB
2
9
VSS
9
VSS
HO
HS
NC
3
4
5
EPAD
8
7
6
LI
HI
RDT
HB
HO
HS
3
4
5
EPAD
8
7
6
LI
HI
RDT
2
FN7670.0
December 23, 2011
相关PDF资料
PDF描述
F931D226MCC CAP TANT 22UF 20V 20% 2312
A7VWB-1506M CABLE D-SUB-AMU15B/AE15M/AFU15B
HIP2122FRTAZ-T IC INTERFACE
GSM08DRMI CONN EDGECARD 16POS .156 SQ WW
F931V106MCC CAP TANT 10UF 35V 20% 2312
相关代理商/技术参数
参数描述
HIP2123 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V, 2A Peak, High Frequency Half-Bridge Drivers with Rising Edge Delay Timer
HIP2123FRTAZ 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP2123FRTAZ-T 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP2123FRTBZ 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP2123FRTBZ-T 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube