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参数资料
| 型号： | HIP2122FRTBZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 16/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INTERFACE |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | * |
HIP2122, HIP2123
Package Outline Drawing
L10.4x4
10 LEAD THIN DUAL FLAT NO-LEAD PLASTIC PACKAGE
Rev 1, 1/08
3.2 REF
A
4.00
PIN #1 INDEX AREA
6
8X 0.80 BSC
B
1
5
10X 0 . 40
6
PIN 1
INDEX AREA
4.00
0.15
(4X)
2.60
TOP VIEW
10
6
0.10 M C A B
0.05 M C
4 10 X 0.30
3.00
BOTTOM VIEW
( 3.00 )
SEE DETAIL "X"
0 .75
( 10 X 0.60 )
0.10 C
BASE PLANE
C
SEATING PLANE
SIDE VIEW
0.08 C
( 3.80)
( 2.60)
C
0 . 2 REF
0 . 00 MIN.
( 8X 0 . 8 )
TYPICAL RECOMMENDED LAND PATTERN
16
( 10X 0 . 30 )
0 . 05 MAX.
DETAIL "X"
NOTES:
1. Dimensions are in millimeters.
Dimensions in ( ) for Reference Only.
2. Dimensioning and tolerancing conform to AMSE Y14.5m-1994.
3. Unless otherwise specified, tolerance : Decimal ± 0.05
4. Dimension b applies to the metallized terminal and is measured
between 0.15mm and 0.30mm from the terminal tip.
5. Tiebar shown (if present) is a non-functional feature.
6. The configuration of the pin #1 identifier is optional, but must be
located within the zone indicated. The pin #1 identifier may be
either a mold or mark feature.
FN7670.0
December 23, 2011
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F931D226MCC | CAP TANT 22UF 20V 20% 2312 |
| A7VWB-1506M | CABLE D-SUB-AMU15B/AE15M/AFU15B |
| HIP2122FRTAZ-T | IC INTERFACE |
| GSM08DRMI | CONN EDGECARD 16POS .156 SQ WW |
| F931V106MCC | CAP TANT 10UF 35V 20% 2312 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP2123 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V, 2A Peak, High Frequency Half-Bridge Drivers with Rising Edge Delay Timer |
| HIP2123FRTAZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2123FRTAZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2123FRTBZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2123FRTBZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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