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参数资料
型号： HIP6602BCR-T
厂商： Intersil
文件页数： 10/12页
文件大小： 0K
描述： IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN
标准包装： 6,000
配置： 高端和低端，同步
输入类型： PWM
电流 - 峰： 400mA
配置数： 2
输出数： 4
高端电压 - 最大（自引导启动）： 15V
电源电压： 10.8 V ~ 13.2 V
工作温度： 0°C ~ 85°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装： 16-QFN-EP（5x5）
包装： 带卷 (TR)
HIP6602B
Typical Performance Curves
(Continued)
600
PVCC = 5V,
VCC = 12V
500
1.5MHz
2MHz
1MHz
400
300
500kHz
200
100kHz
200kHz
100
0
1
2
3
4
30kHz
5
GATE CAPACITANCE (C U = C L ), (nF)
FIGURE 8. POWER DISSIPATION vs LOADING, PVCC = 5V
10
FN9076.5
July 22, 2005
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PDF描述
HIP6603BCBZ IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 8SOIC
HS0005KCU04H EMULATOR E10A-USB SUPERH RISC
HT1010SAT3 SURGE SUPPRESS 15A 10OUT 10'C
HT10DBS SURGE SUPPRESS 12A 10OUT 8'CORD
HT706TSAT SURGE SUPPRESSOR 7OUT W/2COAX
相关代理商/技术参数
参数描述
HIP6602BCRZ 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCRZA 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL CH SYNCH CT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCRZA-T 功能描述:功率驱动器IC W/ANL DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCRZ-T 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602CB 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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