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参数资料
| 型号： | HIP6602BCR-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN |
| 标准包装： | 6,000 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 电流 - 峰： | 400mA |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 4 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 15V |
| 电源电压： | 10.8 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN-EP（5x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HIP6602B
Pinouts
HIP6602B (SOIC)
TOP VIEW
HIP6602 (16 LD QFN)
TOP VIEW
PWM1
PWM2
1
2
14 VCC
13 PHASE1
GND
LGATE1
PVCC
PGND
LGATE2
3
4
5
6
7
12 UGATE1
11 BOOT1
10 BOOT2
9 UGATE2
8 PHASE2
GND 1
LG1 2
PVCC 3
PGND 4
16
15
14
13
12 UG1
11 BOOT1
10 BOOT2
9
UG2
5
6
7
8
Block Diagram
PVCC
BOOT1
UGATE1
VCC
+5V
SHOOT-
PHASE1
PWM1
10K
THROUGH
PROTECTION
PVCC
10K
PGND
LGATE1
PGND
+5V
10K
CONTROL
LOGIC
PVCC
BOOT2
UGATE2
PWM2
SHOOT-
PHASE2
10K
THROUGH
GND
HIP6602B
PROTECTION
PGND
PVCC
LGATE2
2
PAD
For HIP6602BCR, the PAD on the bottom side of the
package MUST be soldered to the PC board
FN9076.5
July 22, 2005
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HIP6602BCRZ-T | 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6602CB | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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