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参数资料
| 型号： | HIP6602BCR-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN |
| 标准包装： | 6,000 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 电流 - 峰： | 400mA |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 4 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 15V |
| 电源电压： | 10.8 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN-EP（5x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HIP6602B
Typical Application - 4 Channel Converter Using a HIP6303 and HIP6602B Gate Driver
+12V
BOOT1
+12V
UGATE1
VCC
PHASE1
LGATE1
+5V
DUAL
DRIVER
HIP6602B
PVCC
+5V/12V
FB
VSEN
COMP
V CC
BOOT2
+12V
UGATE2
ISEN1
PGOOD
PWM1
PWM1
PHASE2
EN
MAIN
PWM2
ISEN2
PWM2
LGATE2
CONTROL
VID
HIP6303
GND
PGND
+V CORE
ISEN3
FS/DIS
PWM3
GND
PWM4
ISEN4
+12V
BOOT3
+12V
UGATE3
VCC
PHASE3
LGATE3
DUAL
DRIVER
HIP6602B
PVCC
+5V/12V
BOOT4
UGATE4
+12V
PWM3
PHASE4
PWM4
LGATE4
4
GND
PGND
FN9076.5
July 22, 2005
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP6602BCRZ | 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6602BCRZA | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL CH SYNCH CT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6602BCRZA-T | 功能描述:功率驱动器IC W/ANL DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6602BCRZ-T | 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6602CB | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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