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参数资料
| 型号： | HMC636ST89E |
| 厂商： | Hittite Microwave Corporation |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GAIN BLOCK AMP SOT89 |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 200MHz ~ 4GHz |
| P1dB： | 23dBm |
| 增益： | 10dB |
| 噪音数据： | 2dB |
| RF 型： | 通用 |
| 电源电压： | 5V |
| 电流 - 电源： | 175mA |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 1127-1063-6 |
HMC636ST89 / 636ST89E
v02.0311
Broadband Gain & Return Loss
20
15
10
GaAs PHEMT HIGH LINEARITY
Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz
Gain vs. Temperature
16
14
12
5
0
-5
-10
S21
S11
S22
10
8
6
4
+25C
+85C
-40C
9
-15
-20
2
0
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
FREQUENCY (GHz)
Input Return Loss vs. Temperature
0
FREQUENCY (GHz)
Output Return Loss vs. Temperature
0
-5
-10
-5
-10
+25C
+85C
-40C
-15
-20
+25C
+85C
-40C
-15
-20
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
FREQUENCY (GHz)
Reverse Isolation vs. Temperature
0
FREQUENCY (GHz)
Noise Figure vs. Temperature
10
9
-5
-10
+25C
+85C
-40C
8
7
6
+25C
+85C
-40C
5
-15
-20
-25
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
FREQUENCY (GHz)
FREQUENCY (GHz)
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com
9-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMC741ST89E | IC GAIN BLOCK AMP SOT89 |
| HMC753LP4E | IC AMP MMIC GAAS LN 24QFN |
| HMC784MS8GE | IC MMIC GAAS SW SPDT 8MSOP |
| HMC788LP2E | IC GAIN BLOCK AMP 6DFN |
| HMC849LP4CE | IC SW GASS PHEMT SPDT 16QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HMC636ST89ETR | 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC GAIN BLOCK AMP SOT89 |
| HMC637 | 制造商:HITTITE 制造商全称:Hittite Microwave Corporation 功能描述:GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz |
| HMC637A | 功能描述:RF Amplifier IC VSAT 0Hz ~ 6GHz 32-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:新产品 频率:0Hz ~ 6GHz P1dB:29dBm 增益:13dB 噪声系数:12dB RF 类型:VSAT 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:400mA 测试频率:- 封装/外壳:32-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:32-QFN（4x4） 标准包装:25 |
| HMC637ALP5E | 功能描述:RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 6GHz 32-QFN (5x5) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 频率:0Hz ~ 6GHz P1dB:29dBm 增益:13dB 噪声系数:5dB RF 类型:通用 电压 - 电源:12V 电流 - 电源:400mA 测试频率:- 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:32-QFN（5x5） 标准包装:1 |
| HMC637ALP5ETR | 功能描述:IC MMIC MESFET GAAS 1W 32QFN 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 频率:0Hz ~ 6GHz P1dB:29dBm 增益:13dB 噪声系数:5dB RF 类型:VSAT 电压 - 电源:12V 电流 - 电源:400mA 测试频率:- 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:32-QFN（5x5） 标准包装:1 |
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