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参数资料
| 型号： | HMC741ST89E |
| 厂商： | Hittite Microwave Corporation |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GAIN BLOCK AMP SOT89 |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 50MHz ~ 3GHz |
| P1dB： | 16dBm |
| 增益： | 19dB |
| 噪音数据： | 2.5dB |
| RF 型： | 通用 |
| 电源电压： | 5V |
| 电流 - 电源： | 96mA |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 1127-1067-6 |
HMC741ST89E
v02.0710
InGaP HBT ACTIVE BIAS
MMIC AMPLIFIER, 0.05 – 3 GHz
8
Output IP3 vs. Vcc
50
45
Current vs. Temperature
140
40
35
30
25
120
100
+25C
+85C
-40C
20
15
10
5
4.5V
5.0V
5.5V
80
60
0
0
0.5
1
1.5 2
2.5
3
40
4.5
4.75
5
5.25
5.5
FREQUENCY (GHz)
P1dB vs. Temperature
20
15
VOLTAGE (V)
Psat vs. Temperature
20
15
10
5
+25C
+85C
-40C
10
5
+25C
+85C
-40C
0
0
0.5
1
1.5 2
2.5
3
0
0
0.5
1
1.5 2
2.5
3
FREQUENCY (GHz)
Power Compression @ 500 MHz
25
20
FREQUENCY (GHz)
Power Compression @ 2 GHz
25
20
15
10
5
0
Pout
Gain
PAE
15
10
5
0
Pout
Gain
PAE
-5
-20
-17
-14
-11 -8 -5
-2
1
-5
-20
-17
-14
-11 -8 -5
-2
1
INPUT POWER (dBm)
INPUT POWER (dBm)
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824
8-5
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HMC742ALP5ETR | 功能描述:RF Amplifier IC LTE, WiMax 70MHz ~ 4GHz 32-QFN (5x5) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 频率:70MHz ~ 4GHz P1dB:21.5dBm 增益:12dB 噪声系数:4dB RF 类型:LTE，WiMax 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:2.5mA 测试频率:70MHz ~ 1GHz 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:32-QFN（5x5） 标准包装:1 |
| HMC742HFLP5E | 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC AMP DVGA 6-BIT 0.5DB 32-QFN |
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