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参数资料
| 型号： | HMC741ST89E |
| 厂商： | Hittite Microwave Corporation |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GAIN BLOCK AMP SOT89 |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 50MHz ~ 3GHz |
| P1dB： | 16dBm |
| 增益： | 19dB |
| 噪音数据： | 2.5dB |
| RF 型： | 通用 |
| 电源电压： | 5V |
| 电流 - 电源： | 96mA |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 1127-1067-6 |
HMC741ST89E
v02.0710
InGaP HBT ACTIVE BIAS
MMIC AMPLIFIER, 0.05 – 3 GHz
Absolute Maximum Ratings
collector Bias voltage (vcc) +5.5 vdc
rf input power (rfin) +15 dBm
Junction Temperature 150 °c
continuous pdiss (T = 85 °c)
0.66 W
(derate 10.22 mW/°c above 85 °c)
Thermal resistance
97.83 °c/W
(junction to lead)
storage Temperature
-65 to +150 °c
operating Temperature
-40 to +85 °c
esD sensitivity (HmB)
class 1c
elecTrosTATic sensiTive Device
oBserve HAnDlinG precAUTions
8
Outline Drawing
noTes:
1. pAckAGe BoDY mATeriAl:
molDinG compoUnD mp-180s or eQUivAlenT.
2. leAD mATeriAl: cu w/ Ag spoT plATinG.
3. leAD plATinG: 100% mATTe Tin.
4. Dimensions Are in incHes [millimeTers]
5. Dimension Does noT inclUDe molDflAsH of 0.15mm per siDe.
6. Dimension Does noT inclUDe molDflAsH of 0.25mm per siDe.
7. All GroUnD leADs mUsT Be solDereD To pcB rf GroUnD.
Package Information
part number
package Body material
lead finish
msl rating
package marking [1]
Hmc741sT89e
roHs-compliant low stress injection molded plastic
100% matte sn
msl1
[2]
H741
XXXX
[1] 4-Digit lot number XXXX
[2] max peak reflow temperature of 260 °c
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com
8-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HMC741ST89E_10 | 制造商:HITTITE 制造商全称:Hittite Microwave Corporation 功能描述:InGaP HBT ACTIVE BIAS MMIC AMPLIFIER, 0.05 a?? 3 GHz |
| HMC741ST89ETR | 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC GAIN BLOCK AMP SOT89 |
| HMC742ALP5E | 功能描述:RF Amplifier IC LTE, WiMax 70MHz ~ 4GHz 32-QFN (5x5) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 频率:70MHz ~ 4GHz P1dB:21.5dBm 增益:12dB 噪声系数:4dB RF 类型:LTE，WiMax 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:2.5mA 测试频率:70MHz ~ 1GHz 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:32-QFN（5x5） 标准包装:1 |
| HMC742ALP5ETR | 功能描述:RF Amplifier IC LTE, WiMax 70MHz ~ 4GHz 32-QFN (5x5) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 频率:70MHz ~ 4GHz P1dB:21.5dBm 增益:12dB 噪声系数:4dB RF 类型:LTE，WiMax 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:2.5mA 测试频率:70MHz ~ 1GHz 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:32-QFN（5x5） 标准包装:1 |
| HMC742HFLP5E | 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC AMP DVGA 6-BIT 0.5DB 32-QFN |
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