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参数资料
| 型号： | HUF75852G3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 480nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7690pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | HUF75852G3-ND HUF75852G3FS |
HUF75852G3
Typical Performance Curves
(Continued)
1.2
I D = 250 μ A
20000
C ISS = C GS + C GD
10000
1.1
C RSS = C GD
1.0
1000
C OSS ? C DS + C GD
V GS = 0V, f = 1MHz
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
100
0.1
1.0
10
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10
V DD = 75V
8
6
4
WAVEFORMS IN
2
DESCENDING ORDER:
I D = 75A
I D = 30A
0
0
50
100
150
200
250
Q g , GATE CHARGE (nC)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75852G3 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HUFA75321D3ST | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75925D3ST | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75925P3 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75939P3 | 功能描述:MOSFET 22a 200V NCh MOSFET 0.125 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75939P3_F102 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75939S3ST | 功能描述:MOSFET TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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