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参数资料
| 型号： | HUFA76419D3S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
HUFA76419D3, HUFA76419D3S
Typical Performance Curves
(Continued)
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0 40 80 120 160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 11. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 12. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
2000
1000
C ISS = C GS + C GD
10
8
V DD = 30V
6
C OSS ? C DS + C GD
4
WAVEFORMS IN
100
2
DESCENDING ORDER:
I D = 20A
I D = 10A
20
V GS = 0V, f = 1MHz
C RSS = C GD
0
0.1
1.0 10
60
0
5
10 15 20
25
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 13. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
300
Q g , GATE CHARGE (nC)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 14. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT
GATE CURRENT
180
250
V GS = 4.5V, V DD = 30V, I D = 19A
t r
150
V GS = 10V, V DD = 30V, I D = 20A
t d(OFF)
200
150
120
90
t f
100
50
0
t f
t d(OFF)
t d(ON)
60
30
0
t r
t d(ON)
0
10 20 30 40
R GS , GATE TO SOURCE RESISTANCE ( ? )
50
0
10 20 30 40
R GS , GATE TO SOURCE RESISTANCE ( ? )
50
FIGURE 15. SWITCHING TIME vs GATE RESISTANCE
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 16. SWITCHING TIME vs GATE RESISTANCE
HUFA76419D3, HUFA76419D3S Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM6460R-334 | CHOKE COMMON MODE 330.0UH SMD |
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| HUFA76419D3 | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK |
| CM6460R-225 | CHOKE COMMON MODE 2200.0UH SMD |
| NTD50N03R-1G | MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUFA76419D3ST | 功能描述:MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| HUFA76419P3 | 功能描述:MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA76419P3_S2565 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUFA76419S3S | 功能描述:MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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