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参数资料
| 型号： | HY5DU561622DT-6 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 20/28页 |
| 文件大小： | 814K |
| 代理商： | HY5DU561622DT-6 |
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Rev. 0.6 / Mar. 2005
27
HY5DU561622DT
CAPACITANCE (TA=25oC, f=1MHz )
Note :
1. VDD = min. to max., VDDQ = 2.3V to 2.7V, VODC = VDDQ/2, VOpeak-to-peak = 0.2V
2. Pins not under test are tied to GND.
3. These values are guaranteed by design and are tested on a sample basis only.
OUTPUT LOAD CIRCUIT
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input Clock Capacitance
CK, CK
CCK
2.0
3.0
pF
Input Capacitance
All other input-only pins
CIN
2.0
3.0
pF
Input / Output Capacitanc
DQ, DQS, DM
CIO
4.0
5.0
pF
VREF
VTT
RT=50
Zo=50
CL=30pF
Output
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PDF描述 |
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| HY5DU561622DTP-H | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
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| HY5DU561622DTP-K | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DTP-L | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
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