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参数资料
| 型号： | HY5DU561622DT-6 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 25/28页 |
| 文件大小： | 814K |
| 代理商： | HY5DU561622DT-6 |
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Rev. 0.6 / Mar. 2005
6
HY5DU561622DT
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
4Banks x 4Mbit x 16 I/O Double Data Rate Synchronous DRAM
Command
Decoder
CLK
/CLK
CKE
/CS
/RAS
/CAS
LDM
UDM
Address
Buffer
A0-12
Bank
Control
4Mx16/Bank0
Column Decoder
Column Address
Counter
Se
ns
eAMP
2-
bit
Pr
ef
et
ch
U
nit
4Mx16 /Bank1
4Mx16 /Bank2
4Mx16 /Bank3
Mode
Register
Row
Decoder
Inp
ut
Bu
ffe
r
Outp
ut
Buffer
Data Strobe
Transmitter
Data Strobe
Receiver
LDQS,UDQS
DS
Write Data Register
2-bit Prefetch Unit
DS
DQ[0:15]
64
32
16
32
BA0,BA1
DLL
Block
CLK_DLL
CLK,
/CLK
Mode
Register
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PDF描述 |
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| HY5DU561622DTP-H | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
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| HY5DU561622DTP-L | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
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