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参数资料
| 型号： | HY5PS1G421LM-E3 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA63 |
| 封装： | FBGA-63 |
| 文件页数： | 46/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G421LM-E3 |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
46
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
Burst Write with Auto-Precharge
If A10 is high when a Write Command is issued, the Write with Auto-Precharge function is engaged. The
DDR2 SDRAM automatically begins precharge operation after the completion of the burst write plus write
recovery time (tWR). The bank undergoing auto-precharge from the completion of the write burst may be
reactivated if the following two conditions are satisfied.
(1) The data-in to bank activate delay time (WR + tRP) has been satisfied.
(2) The RAS cycle time (tRC) from the previous bank activation has been satisfied.
Burst Write with Auto-Precharge (tRC Limit): WL = 2, tWR =2, BL = 4, tRP=3
Burst Write with Auto-Precharge (tWR + tRP): WL = 4, tWR =2, BL = 4, tRP=3
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Bank A
Active
DQs
NOP
CK/CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
Tm
DIN A
0
DIN A
1
DIN A
2
DIN A
3
WRA BankA
Post CAS
WL =RL - 1 = 2
DQS/DQS
A10 = 1
Auto Precharge Begins
NOP
> =
WR
Completion of the Burst Write
> = t
RP
> = t
RC
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Bank A
Active
DQs
NOP
CK/CK
T0
T4
T3
T5
T6
T7
T8
T9
T12
DIN A
0
DIN A
1
DIN A
2
DIN A
3
WRA Bank A
Post CAS
WL =RL - 1 = 4
DQS/DQS
A10 = 1
Auto Precharge Begins
NOP
> =
WR
Completion of the Burst Write
> = t
RP
> = t
RC
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PDF描述 |
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