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参数资料
| 型号： | HY5PS1G421LM-E3 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA63 |
| 封装： | FBGA-63 |
| 文件页数： | 68/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G421LM-E3 |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
68
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
5.5 Input/Output Capacitance(DDP)
Parameter
Symbol
DDR2 533
DDR2 400
Units
Min
Max
Input capacitance
(CK and CK)
CCK
3.5
5.5
pF
Input capacitance, all other input-only pins
(A0~A13,BA0~BA1,RAS,CAS,WE,CS0, CS1,
ODT0, ODT1, CKE0,CKE1)
CI
1.5
5
pF
Input/output capacitance
(DQ, DM, DQS, DQS)
CIO
5.5
7.5
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| HY5PS1G421M-E3 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
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