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参数资料
| 型号： | HY5PS1G821LM |
| 厂商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 1G DDR2内存（铂） |
| 文件页数： | 30/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G821LM |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
30
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
Burst Read Operation: RL = 3 (AL = 0 and CL = 3, BL = 8)
Burst Read followed by Burst Write: RL = 5, WL = (RL-1) = 4, BL = 4
The minimum time from the burst read command to the burst write command is defined by a read-to-write-
turn-around-time, which is 4 clocks in case of BL = 4 operation, 6 clocks in case of BL = 8 operation.
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQs
NOP
CK/CK
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
CL =3
RL = 3
DQS/DQS
=< t
DQSCK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A
4
DOUT A
5
DOUT A
6
DOUT A
7
CMD
Post CAS
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
T0
Tn-1
T1
Tn
Tn+1
Tn+2
Tn+3
Tn+4
Tn+5
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
DQS/DQS
DIN A
0
DIN A
1
DIN A
2
DIN A
3
WL = RL - 1 = 4
RL =5
Post CAS
WRITE A
t
RTW
(Read to Write turn around time)
NOP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS1G821LM-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY6264A-15 | RES 2.74 KOHM 1.0 % 2010S |
| HY6264A | 8KX8-Bit CMOS SRAM |
| HY6264A-10 | 8KX8-Bit CMOS SRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY5PS1G821LM-C4 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821LM-E3 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821M-C4 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821M-E3 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
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