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参数资料
| 型号： | HY5PS1G821LM |
| 厂商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 1G DDR2内存（铂） |
| 文件页数： | 4/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G821LM |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
4
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
5. AC & DC Operating Conditions
5.1 DC Operation Conditions
5.1.1 Recommended DC Operating Conditions(SSTL_1.8)
5.1.2 ODT DC Electrical Characteristics
5.2 DC & AC Logic Input Levels
5.2.1 Input DC Logic Level
5.2.2 Input AC Logic Level
5.2.3 AC Input Test Conditions
5.2.4 Differential Input AC Logic Level
5.2.5 Differential AC output parameters
5.2.6 Overshoot / Undershoot Specification
5.3 Output Buffer Levels
5.3.1 Output AC Test Conditions
5.3.2 Output DC Current Drive
5.3.3 OCD default chracteristics
5.4 Default Output V-I Characteristics
5.4.1 Full Strength Default Pulldown Driver Characteristics
5.4.2 Full Strength Default Pullup Driver Chracteristics
5.4.3 Calibrated Output Driver V-I Characteristics
5.5 Input/Output Capacitance
6. IDD Specifications & Measurement Conditions
7. AC Timing Specifications
7.1 Timing Parameters by Speed Grade
7.2 General Notes for all AC Parameters
7.3 Specific Notes for dedicated AC parameters.
8 Package Dimensions
8.1 Package Dimension(x4, x8)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS1G821LM-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY6264A-15 | RES 2.74 KOHM 1.0 % 2010S |
| HY6264A | 8KX8-Bit CMOS SRAM |
| HY6264A-10 | 8KX8-Bit CMOS SRAM |
| HY6264A-12 | 8KX8-Bit CMOS SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY5PS1G821LM-C4 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821LM-E3 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821M-C4 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821M-E3 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
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