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参数资料
| 型号： | HY5PS1G821LM |
| 厂商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 1G DDR2内存（铂） |
| 文件页数： | 44/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G821LM |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
44
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
Example 1: Burst Read Operation with Auto Precharge:
RL = 4, AL = 1, CL = 3, BL = 8, t
RTP
<= 2 clocks
T0
T2
T1
Example 2: Burst Read Operation with Auto Precharge:
RL = 4, AL = 1, CL = 3, BL = 4, t
RTP
> 2 clocks
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
Post CAS
RL =4
DQS/DQS
T3
T4
T5
T6
T7
T 8
AL + BL/2 clks
AL = 1
CL = 3
> = t
RTP
DOUT A
4
DOUT A
5
DOUT A
6
DOUT A
7
first 4-bit prefetch
second 4-bit prefetch
NOP
t
RTP
NOP
Precharge begins here
Activate
Bank A
> = t
RP
Autoprecharge
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
Autoprecharge
Post CAS
RL =4
DQS/DQS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T 8
> = AL + tRTP + tRP
AL = 1
CL = 3
4-bit prefetch
NOP
t
RTP
NOP
Precharge begins here
Activate
Bank A
t
RP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS1G821LM-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY6264A-15 | RES 2.74 KOHM 1.0 % 2010S |
| HY6264A | 8KX8-Bit CMOS SRAM |
| HY6264A-10 | 8KX8-Bit CMOS SRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY5PS1G821LM-C4 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
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| HY5PS1G821M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821M-C4 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
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