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参数资料
| 型号： | HY5PS1G831CLFP-Y5 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件页数： | 22/37页 |
| 文件大小： | 539K |
| 代理商： | HY5PS1G831CLFP-Y5 |
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Rev. 0.2 / Dec 2006
22
HY5PS1G431C(L)FP
HY5PS1G831C(L)FP
HY5PS1G1631C(L)FP
Parameter
Symbol
DDR2-400
DDR2-533
Uni
t
Note
min
max
min
max
Four Active Window for 1KB page size
products
tFAW
37.5
-
37.5
-
ns
Four Active Window for 2KB page size
products
tFAW
50
-
50
-
CAS to CAS command delay
tCCD
2
2
tCK
Write recovery time
tWR
15
-
15
-
ns
Auto precharge write recovery + precharge
time
tDAL
WR+tRP*
-
WR+tRP*
-
tCK
14
Internal write to read command delay
tWTR
10
-
7.5
-
ns
24
Internal read to precharge command delay
tRTP
7.5
7.5
ns
3
Exit self refresh to a non-read command
tXSNR
tRFC + 10
tRFC + 10
ns
Exit self refresh to a read command
tXSRD
200
-
200
-
tCK
Exit precharge power down to any non-read
command
tXP
2
-
2
-
tCK
Exit active power down to read command
tXARD
2
2
tCK
1
Exit active power down to read command
(Slow exit, Lower power)
tXARDS
6 - AL
6 - AL
tCK
1, 2
CKE minimum pulse width
(high and low pulse width)
t
CKE
3
3
tCK
ODT turn-on delay
t
AOND
2
2
2
2
tCK
ODT turn-on
t
AON
tAC(min)
tAC(max)
+1
tAC(min)
tAC(max)
+1
ns
16
ODT turn-on(Power-Down mode)
t
AONP
D
tAC(min)+
2
2tCK+tAC
(max)
+1
tAC(min)+
2
2tCK+tAC
(max)+1
ns
ODT turn-off delay
t
AOFD
2.5
2.5
2.5
2.5
tCK
ODT turn-off
t
AOF
tAC(min)
tAC(max)
+ 0.6
tAC(min)
tAC(max)
+ 0.6
ns
17
ODT turn-off (Power-Down mode)
t
AOFPD
tAC(min)+
2
2.5tCK+tA
C(max)+1
tAC(min)+
2
2.5tCK+t
AC(max)
+1
ns
ODT to power down entry latency
tANPD
3
3
tCK
ODT power down exit latency
tAXPD
8
8
tCK
OCD drive mode output delay
tOIT
0
12
0
12
ns
Minimum time clocks remains ON after
CKE asynchronously drops LOW
tDelay
tIS+tCK+tI
H
tIS+tCK+tI
H
ns
15
-Continued
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PDF描述 |
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