参数资料
型号: HY5PS1G831CLFP-Y5
厂商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分类: DRAM
英文描述: 1Gb DDR2 SDRAM
中文描述: 128M X 8 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60
封装: ROHS COMPLIANT, FBGA-60
文件页数: 31/37页
文件大小: 539K
代理商: HY5PS1G831CLFP-Y5
Rev. 0.2 / Dec 2006
31
HY5PS1G431C(L)FP
HY5PS1G831C(L)FP
HY5PS1G1631C(L)FP
Fig. -d Illustration of tangent line for tIH , tDH
CK, DQS
V
DDQ
V
IH
(ac)min
V
IH
(dc)min
V
REF
(dc)
V
IL
(dc)max
V
IL
(ac)max
Vss
Delta TF
tangent
line
Tangent
line
t
IS
,
t
DS
CK, DQS
nominal
line
dc to V
REF
region
nominal
line
Delta TR
Tangent line[V
IH
(ac)min-V
REF
(dc)]
Delta TF
Hold Slew Rate
Falling Signal
=
Tangent line[V
REF
(dc)-V
IL
(ac)max]
Delta TR
Hold Slew Rate
Rising Signal
=
t
IH
,
t
DH
t
IS
,
t
DS
t
IH
,
t
DH
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