- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378599 > IBM0116160 (IBM Microeletronics) 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IBM0116160 |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 100万× 16 12 / 8的DRAM（1,600位动态随机存储器（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 5/27页 |
| 文件大小： | 489K |
| 代理商： | IBM0116160 |
第1页第2页第3页第4页当前第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页
IBM0116160
IBM0116160B IBM0116160P
1M x 16 12/8 DRAM
IBM0116160M
43G9618
SA14-4207-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 5 of 27
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Rating
Units
Notes
3.3 Volt Device
5.0 Volt Device
V
CC
Power Supply Voltage
-0.5 to +4.6
-1.0 to +7.0
V
1
V
IN
Input Voltage
-0.5 to min (V
CC
+0.5, 4.6)
-0.5 to min (V
CC
+0.5, 7.0)
V
1
V
OUT
Output Voltage
-0.5 to min (V
CC
+0.5, 4.6)
-0.5 to min (V
CC
+0.5, 7.0)
V
1
T
OPR
Operating Temperature
0 to +70
0 to +70
°
C
1
T
STG
Storage Temperature
-55 to +150
-55 to +150
°
C
1
P
D
Power Dissipation
1.0
1.0
W
1
I
OUT
Short Circuit Output Current
50
50
mA
1
1. Stresses greater than those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a
stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reli-
ability.
Recommended DC Operating Conditions
(T
A
= 0 to 70C)
Symbol
Parameter
3.3 Volt Device
5.0 Volt Device
Units
Notes
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
4.5
5.0
5.5
V
1
V
IH
Input High Voltage
2.0
—
V
CC
+ 0.5
2.4
—
V
CC
+ 0.5
V
1, 2
V
IL
Input Low Voltage
-0.5
—
0.8
-0.5
—
0.8
V
1, 2
1. All voltages referenced to V
SS
.
2. V
IH
may overshoot to V
CC
+ 1.2V for pulse widths of
≤
4.0ns with 3.3 Volt, or V
CC
+ 2.0V for pulse widths of
≤
4.0ns (or V
CC
+ 1.0V
for
≤
8.0ns) with 5.0 Volt. Additionally, V
IL
may undershoot to -2.0V for pulse widths
≤
4.0ns with 3.3 Volt, or to -2.0V for pulse
widths
≤
4.0ns (or -1.0V for
≤
8.0ns) with 5.0 Volt. Pulse widths measured at 50% points with amplitude measured peak to DC ref-
erence.
Capacitance
(T
A
= 25
°
C, V
CC
= 3.3V
±
0.3V or V
CC
= 5.0V
±
0.5V)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
Notes
C
I1
Input Capacitance (A0 - A11)
—
5
pF
1
C
I2
Input Capacitance (RAS, LCAS, UCAS, WE, OE)
—
7
pF
1
C
O
Output Capacitance (I/O0 - I/O15)
—
7
pF
1
1. Input capacitance measurements made with rise time shift method with CAS = V
IH
to disable output.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116160B | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116160M | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116160P | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165 | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165B | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0116165BJ3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0218 |
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。