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参数资料
| 型号： | IBM0116160 |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 100万× 16 12 / 8的DRAM（1,600位动态随机存储器（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 8/27页 |
| 文件大小： | 489K |
| 代理商： | IBM0116160 |
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IBM0116160
IBM0116160B
1M x 16 12/8 DRAM
IBM0116160M
IBM0116160P
IBM Corporation. All rights reserved.
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43G9618
SA14-4207-06
Revised 4/97
Write Cycle
Symbol
Parameter
-50
-60
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
t
WCS
Write Command Set Up Time
0
—
0
—
ns
1
t
WCH
Write Command Hold Time
10
—
15
—
ns
t
WP
Write Command Pulse Width
10
—
15
—
ns
t
RWL
Write Command to RAS Lead Time
13
—
15
—
ns
t
CWL
Write Command to CAS Lead Time
13
—
15
—
ns
t
OED
OE to D
IN
Delay Time
13
—
15
—
ns
2
t
DS
D
IN
Setup Time
0
—
0
—
ns
3
t
DH
D
IN
Hold Time
10
—
12
—
ns
3
1. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
, t
AWD
and t
CPW
are not restrictive operating parameters. They are included in the data sheet as electrical charac-
teristics only. If t
WCS
≥
t
WCS
(min), the cycle is an early write cycle and the data pin will remain open circuit (high impedance)
through the entire cycle. If t
RWD
≥
t
RWD
(min), t
CWD
≥
t
CWD
(min), t
AWD
≥
t
AWD
(min), and t
CPW
≥
t
CPW
(min)(Fast Page Mode), the
cycle is a Read-Modify-Write cycle and the data out will contain data read from the selected cell. If neither of the above sets of con-
ditions are satisfied, the condition of the data out (at access time) is indeterminate.
2. Either t
CDD
or t
OED
must be satisfied.
3. These parameters are referenced to LCAS or UCAS leading edge in early write cycles and to WE leading edge in Read-Modify-
Write cycles.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116160B | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116160M | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116160P | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165 | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165B | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0116165BJ3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0218 |
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
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