APTGLQ75H120TG

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说明
操作

APTGLQ75H120TG
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
英飞凌
SOP
20+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

APTGLQ75H120TG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

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功能描述
POWER MODULE - IGBT
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
130A
功率 - 最大值
385W
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.4V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）
50μA
不同?Vce 时的输入电容（Cies）
4.4nF @ 25V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
SP4
标准包装
1

APTGLQ75H120TG 技术参数

APTGLQ75H120T3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ600A65T6G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1200A 功率 - 最大值:2000W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:600μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:36.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGLQ50VDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双路升压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGLQ50TL65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGLQ50H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG