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APTGT150DA120D3G

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  • APTGT150DA120D3G
    APTGT150DA120D3G

    APTGT150DA120D3G

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 170

  • APT

  • 150A/1200V/IGBT+DIOD

  • 2024+

  • -
  • 全新现货价格优势

  • APTGT150DA120D3G
    APTGT150DA120D3G

    APTGT150DA120D3G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 98653

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APTGT150DA120D3G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
APTGT150DA120D3G 技术参数
  • APTGT150DA120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 220A 700W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):220A 功率 - 最大值:700W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):10.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT150A60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 225A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT150A60T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 225A 600W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:600W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT150A60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 225A 480W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT150A170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 250A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):250A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):13.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150DU120G APTGT150DU120TG APTGT150DU170G APTGT150DU60TG APTGT150H120G APTGT150H170G APTGT150H60TG APTGT150SK120D1G APTGT150SK120G APTGT150SK120TG APTGT150SK170D1G APTGT150SK170G APTGT150SK60T1G APTGT150SK60TG APTGT150TA60PG APTGT150TDU60PG APTGT150TL60G APTGT200A120D3G
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