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参数资料
| 型号： | IDT70T3509MS133BPI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 13/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 36M（1M x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-BGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3509MS133BPI 800-2299 IDT70T3509MS133BPI-ND |
IDT70T3509M
High-Speed 2.5V
1024K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Commercial Temperature Range
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read ( OE = V IL ) (2)
t CYC2
CLK
CE 0
CE 1
t CH2
t SC t HC
t CL2
t SB
t HB
BE n
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
(3)
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
DATA IN
t SA
t HA
t SD t HD
Dn + 2
DATA OUT
(1)
t CD2
Qn
t CKHZ
t CKLZ
t CD2
Qn + 3
NOP
NOTES:
READ
(4)
WRITE
READ
5682 drw 11
,
1. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
2. CE 0 , BE n , and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and REPEAT = V IH . "NOP" is "No Operation".
3. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers
are for reference use only.
4. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read ( OE Controlled) (2)
t CYC2
CLK
CE 0
CE 1
t CH2
t SC t HC
t CL2
t SB
t HB
BE n
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
(3)
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
t SA
t HA
t SD
t HD
DATA IN
(1)
t CD2
Dn + 2
Dn + 3
t CKLZ
t CD2
DATA OUT
Qn
(4)
Qn + 4
t OHZ
OE
NOTES:
READ
WRITE
READ
5682 drw 12
,
1. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
2. CE 0 , BE n , and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and REPEAT = V IH .
3. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for reference
use only.
4. This timing does not meet requirements for fastest speed grade. This waveform indicates how logically it could be done if timing so allows.
13
6.42
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参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3519S133BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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| IDT70T3519S133BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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