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参数资料
| 型号： | IDT70T3509MS133BPI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 36M（1M x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-BGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3509MS133BPI 800-2299 IDT70T3509MS133BPI-ND |
IDT70T3509M
High-Speed 2.5V
1024K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Commercial Temperature Range
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance (1)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
A 0 - A 18
An
t SA
A 19 (3)
t SAD t HAD
ADS
CNTEN
t CD2
t SAD t HAD
t SCN t HCN
DATA OUT
Qx - 1 (2)
Qx
Qn
Qn + 1
Qn + 2 (2)
Qn + 3
,
(3)
t DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
5682 drw 15a
Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance (1)
t CYC1
CLK
t CH1
t CL1
t SA
t HA
A 0 - A 18
An
t SA
A 19 (3)
t SAD t HAD
ADS
t SAD t HAD
t SCN t HCN
CNTEN
t CD1
DATA OUT
Qx (2)
Qn
Qn + 1
Qn + 2
Qn + 3 (2)
Qn + 4
,
t DC
(3)
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
5682 drw 16a
NOTES:
1. CE 0 , OE , BE n = V IL ; CE 1 , R/ W , and REPEAT = V IH .
2. If there is no address change via ADS = V IL (loading a new address) or CNTEN = V IL (advancing the address), i.e. ADS = V IH and CNTEN = V IH , then the data
remains constant for subsequent clocks.
3. Address A 19 must be managed as part of a full depth counter implementation using the IDT70T3509M. For physical addresses 00000 H through 7FFFF H the
value of a A 19 is 0, while for physical addresses 80000 H through FFFFF H the value of A 19 is 1. The user needs to keep track of the device counter and make
sure that A 19 is actively driven from 0-to-1 or 1-to-0 and held as needed at the appropriate address boundaries for full depth counter operation. As shown this
transition reflects An = 7FFFF H or FFFFF H .
15
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3519S133BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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| IDT70T3519S133BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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