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参数资料
| 型号： | IDT70T3509MS133BPI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 20/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 36M（1M x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-BGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3509MS133BPI 800-2299 IDT70T3509MS133BPI-ND |
IDT70T3509M
High-Speed 2.5V
1024K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Commercial Temperature Range
JTAG Functionality and Configuration
The IDT70T3509M is composed of four independent memory arrays,
and thus cannot be treated as a single JTAG device in the scan chain.
The four arrays (A, B, C and D) each have identical characteristics and
commands but must be treated as separate entities in JTAG operations.
Please refer to Figure 2.
JTAG signaling must be provided serially to each array and utilize the
Register Sizes, and System Interface Parameter tables. Specifically, all
serial commands must be issued to the IDT70T3509M in the following
sequence: Array D, Array C, Array B, Array A. Please reference
Application Note AN-411, "JTAG Testing of Multichip Modules" for specific
instructions on performing JTAG testing on the IDT70T3509M. AN-411
is available at www.idt.com.
information provided in the Identification Register Definitions, Scan
IDT70T3509M
Array B
TDOA
TDIB
TDOB
TDIC
Array C
TDOC
TDID
Array A
Array D
TDO
TDI
TCK
TMS
TRST
5682 drw 24
Figure 2. JTAG Configuration for IDT70T3509M
20
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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