- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4364 > IDT70T3509MS133BPI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T3509MS133BPI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 23/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 36M（1M x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-BGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3509MS133BPI 800-2299 IDT70T3509MS133BPI-ND |
IDT70T3509M
High-Speed 2.5V
1024K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Commercial Temperature Range
Ordering Information
XXXXX
Device
Type
A
Power
999
Speed
A
Package
A
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I (1)
G (2)
BP (3)
133
S
70T3509M
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Green
256-pin BGA (BP-256)
Commercial and Industrial Speed in Megahertz
Standard Power
36Mbit (1024K x 36) 2.5V Synchronous Dual-Port RAM
5682 drw 26
NOTES:
1. Contact your local sales office for Industrial temp range in other speeds, packages and powers.
2. Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your local sales office .
3. BP-256 package thickness is 1.76mm nominal. This is thicker than the BC-256 package (1.40mm nominal) used for the lower density IDT dual-port products.
Datasheet Document History:
11/09/04:
03/24/05:
06/14/05:
08/27/07:
07/28/08:
01/19/09:
Initial Public Release of Preliminary Datasheet
Page 1 Added I-temp offering to features
Page 6 Added I-temp information to the Recommended Operating Temperature and Supply Voltage table
Page 8 Added I-temp values to the DC Electrical Characteristics table
Page 10 Added I-temp to the heading of the AC Electrical Characteristics table
Page 23 Added I-temp to ordering information
Page 1 Added green availability to features
Page 1 - 23 Removed Preliminary status
Page 1 Added feature to highlight footprint compatibility
Page 3 & 23 Added a footnote to highlight package thickness of BP-256 vs. BC-256
Page 1 Functional Block Diagram changed to correct chip enable logic and added footnote 2 referencing Truth Table I
Page 8 Corrected a typo in the DC Chars table
Page 23 Removed "IDT" from orderable part number
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Road
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or 408-284-8200
fax: 408-284-2775
for Tech Support:
408-284-2794
DualPortHelp@idt.com
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
23
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABB50DHAS | CONN EDGECARD 100PS R/A .050 SLD |
| 170-037-171L030 | CONN DB37 CRIMP MALE YLW CHROME |
| HSC65DRTS-S13 | CONN EDGECARD 130PS .100 EXTEND |
| HSC65DRES-S13 | CONN EDGECARD 130PS .100 EXTEND |
| 170-015-272-020 | CONN DB15 CRIMP FEMALE TIN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3519S133BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S133BCI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S133BCI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S133BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。