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参数资料
| 型号： | IDT70T3519S133DRI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3519S133DRI |
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IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Description:
The IDT70T3519/99/89 is a high-speed 256/128/64K x 36 bit
synchronous Dual-Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port
memory cells to allow simultaneous access of any address from both ports.
Registers on control, data, and address inputs provide minimal setup and
hold times. The timing latitude provided by this approach allows systems
to be designed with very short cycle times. With an input data register, the
IDT70T3519/99/89 has been optimized for applications having unidirec-
6.42
tional or bidirectional data flow in bursts. An automatic power down feature,
controlled by CE 0 and CE 1, permits the on-chip circuitry of each port to
enter a very low standby power mode.
The 70T3519/99/89 can support an operating voltage of either 3.3V
or 2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power
supply for the core of the device (V DD ) is at 2.5V.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T3539MS166BCG | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 256BGA |
| IDT70T3719MS166BBG | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 324BGA |
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| IDT70T651S12DRI | IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP |
| IDT70T653MS12BCI | IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3519S166BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S166BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S166BCGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256CABGA |
| IDT70T3519S166BCI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S166BCI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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