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参数资料
型号： IDT70T3519S133DRI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 4/28页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP
标准包装： 6
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，同步
存储容量： 9M（256K x 36）
速度： 133MHz
接口： 并联
电源电压： 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 208-BFQFP
供应商设备封装： 208-PQFP（28x28）
包装： 托盘
其它名称： 70T3519S133DRI
IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Pin Configuration
02/03/14
(3,4,5,6,9)
(con't.)
I/O 19L
I/O 19R
I/O 20L
I/O 20R
V DDQL
V SS
I/O 21L
I/O 21R
I/O 22L
I/O 22R
V DDQR
V SS
I/O 23L
I/O 23R
I/O 24L
I/O 24R
V DDQL
V SS
I/O 25L
I/O 25R
I/O 26L
I/O 26R
V DDQR
ZZ R
V DD
V DD
V SS
V SS
V DDQL
V SS
I/O 27R
I/O 27L
I/O 28R
I/O 28L
V DDQR
V SS
I/O 29R
I/O 29L
I/O 30R
I/O 30L
V DDQL
V SS
I/O 31R
I/O 31L
I/O 32R
I/O 32L
V DDQR
V SS
I/O 33R
I/O 33L
I/O 34R
I/O 34L
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70T3519/99/89DR
DR208 (7)
208-Pin PQFP
Top View (8)
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I/O 16L
I/O 16R
I/O 15L
I/O 15R
V SS
V DDQL
I/O 14L
I/O 14R
I/O 13L
I/O 13R
V SS
V DDQR
I/O 12L
I/O 12R
I/O 11L
I/O 11R
V SS
V DDQL
I/O 10L
I/O 10R
I/O 9L
I/O 9R
V SS
V DDQR
V DD
V DD
V SS
V SS
ZZ L
V DDQL
I/O 8R
I/O 8L
I/O 7R
I/O 7L
V SS
V DDQR
I/O 6R
I/O 6L
I/O 5R
I/O 5L
V SS
V DDQL
I/O 4R
I/O 4L
I/O 3R
I/O 3L
V SS
V DDQR
I/O 2R
I/O 2L
I/O 1R
I/O 1L
5666 drw 02a
NOTES:
1. Pin is a NC for IDT70T3599 and IDT70T3589.
2. Pin is a NC for IDT70T3589.
3. All V DD pins must be connected to 2.5V power supply.
4. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (2.5V), and 2.5V if OPT pin for that port is set to V ss (0V).
5. All V SS pins must be connected to ground supply.
6. Package body is approximately 28mm x 28mm x 3.5mm.
7. This package code is used to reference the package diagram.
8. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
9. Due to limited pin count, JTAG is not supported in the DR208 package.
6.42
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