参数资料
型号: IDT70T3519S133DRI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 8/28页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 9M(256K x 36)
速度: 133MHz
接口: 并联
电源电压: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 208-BFQFP
供应商设备封装: 208-PQFP(28x28)
包装: 托盘
其它名称: 70T3519S133DRI
IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Ambient
(1)
0 C to +70 C
Grade
Commercial
Industrial
NOTES:
Temperature
O O
-40 O C to +85 O C
GND
0V
0V
V DD
2.5V + 100mV
2.5V + 100mV
5666 tbl 04
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.
Recommended DC Operating
Conditions with V DDQ at 2.5V
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
V IH
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage (3)
Ground
Input High Volltage
(Address, Control &
Data I/O Inputs) (3)
Min.
2.4
2.4
0
1.7
Typ.
2.5
2.5
0
____
Max.
2.6
2.6
0
V DDQ + 100mV (2)
Unit
V
V
V
V
V IH
Input High Voltage
JTAG
_
1.7
____
V DD + 100mV (2)
V
V IH
V IL
V IL
Input High Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
Input Low Voltage
Input Low Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
V DD - 0.2V
-0.3 (1)
-0.3 (1)
____
____
____
V DD + 100mV (2)
0.7
0.2
V
V
V
NOTES:
5666 tbl 05a
1. V IL (min.) = -1.0V for pulse width less than t CYC /2 or 5ns, whichever is less.
2. V IH (max.) = V DDQ + 1.0V for pulse width less than t CYC /2 or 5ns, whichever is less.
3. To select operation at 2.5V levels on the I/Os and controls of a given port, the OPT
pin for that port must be set to V ss (0V), and V DDQX for that port must be supplied as indicated
above.
Recommended DC Operating
Conditions with V DDQ at 3.3V
Symbol
V DD
Parameter
Core Supply Voltage
Min.
2.4
Typ.
2.5
Max.
2.6
Unit
V
V DDQ
V SS
V IH
V IH
I/O Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
(Address, Control
&Data I/O Inputs) (3)
Input High Voltage
JTAG
(3)
_
3.15
0
2.0
1.7
3.3
0
____
____
3.45
0
V DDQ + 150mV (2)
V DD + 100mV (2)
V
V
V
V
-0.3
V IH
V IL
V IL
Input High Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
Input Low Voltage
Input Low Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
V DD - 0.2V
(1)
-0.3 (1)
____
____
____
V DD + 100mV (2)
0.8
0.2
V
V
V
NOTES:
5666 tbl 05b
1. V IL (min.) = -1.0V for pulse width less than t CYC /2, or 5ns, whichever is less.
2. V IH (max.) = V DDQ + 1.0V for pulse width less than t CYC /2 or 5ns, whichever is less.
3. To select operation at 3.3V levels on the I/Os and controls of a given port, the OPT pin
for that port must be set to V DD (2.5V), and V DDQX for that port must be supplied as indicated
above.
8
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT70T3539MS166BCG IC SRAM 18MBIT 166MHZ 256BGA
IDT70T3719MS166BBG IC SRAM 18MBIT 166MHZ 324BGA
IDT70T633S10BCI IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA
IDT70T651S12DRI IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP
IDT70T653MS12BCI IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70T3519S166BC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3519S166BC8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3519S166BCGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256CABGA
IDT70T3519S166BCI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3519S166BCI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)