- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3958 > IDT70T659S12BCI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T659S12BCI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 13/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T659S12BCI |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页当前第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页
IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Cycle No. 1, R/ W Controlled Timing (1,5,8)
t WC
ADDRESS
CE or SEM
BE n
OE
(9)
(9)
t AW
t HZ
(7)
t WP
t AS (6)
(2)
t WR
(3)
R/ W
t WZ (7)
t OW
(7)
DATA OUT
DATA IN
(4)
t DW
t DH
(4)
5632 drw 10
.
Timing Waveform of Write Cycle No. 2, CE Controlled Timing (1,5,8)
t WC
ADDRESS
t AW
CE or SEM
(9)
t AS
BE n (9)
R/ W
(6)
t EW (2)
t WR (3)
DATA IN
t DW
t DH
.
5632 drw 11
.
NOTES:
1. R/ W or CE or BE n = V IH during all address transitions for Write Cycles 1 and 2.
2. A write occurs during the overlap (t EW or t WP ) of a CE = V IL, BE n = V IL , and a R/ W = V IL for memory array writing cycle.
3. t WR is measured from the earlier of CE , BE n or R/ W (or SEM or R/ W ) going HIGH to the end of write cycle.
4. During this period, the I/O pins are in the output state and input signals must not be applied.
5. If the CE or SEM = V IL transition occurs simultaneously with or after the R/ W = V IL transition, the outputs remain in the High-impedance state.
6. Timing depends on which enable signal is asserted last, CE or R/ W .
7. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested. Transition is measured 0mV from steady state with the Output Test Load
(Figure 1).
8. If OE = V IL during R /W controlled write cycle, the write pulse width must be the larger of t WP or (t WZ + t DW ) to allow the I/O drivers to turn off and data to be
placed on the bus for the required t DW . If OE = V IH during an R/ W controlled write cycle, this requirement does not apply and the write pulse can be as short as the
specified t WP .
9. To access RAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL . t EW must be met for either condition. CE = V IL when CE 0 = V IL
and CE 1 = V IH . CE = V IH when CE 0 = V IH and/or CE 1 = V IL .
13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T631S12BCI | IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA |
| IDT70T3519S133BF8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA |
| IDT70T3519S133BC8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA |
| IDT70T651S12BF8 | IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA |
| IDT70T651S12BC8 | IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T659S12BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。