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参数资料
| 型号： | IDT70T659S12BCI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T659S12BCI |
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IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Description
Industrial and Commercial Temperature Ranges
The IDT70T651/9 is a high-speed 256/128K x 36 Asynchronous
Dual-Port Static RAM. The IDT70T651/9 is designed to be used as a
stand-alone 9216/4608K-bit Dual-Port RAM or as a combination MAS-
TER/SLAVE Dual-Port RAM for 72-bit-or-more word system. Using the
IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM approach in 72-bit or wider
memory system applications results in full-speed, error-free operation
without the need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
2
feature controlled by the chip enables (either CE 0 or CE 1 ) permit the
on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.
The IDT70T651/9 has a RapidWrite Mode which allows the designer
to perform back-to-back write operations without pulsing the R/ W input
each cycle. This is especially significant at the 8 and 10ns cycle times of
the IDT70T651/9, easing design considerations at these high perfor-
mance levels.
The 70T651/9 can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V
on one or both ports, controlled by the OPT pins. The power supply for
the core of the device (V DD ) is at 2.5V.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T631S12BCI | IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA |
| IDT70T3519S133BF8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA |
| IDT70T3519S133BC8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA |
| IDT70T651S12BF8 | IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA |
| IDT70T651S12BC8 | IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T659S12BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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